东吴证券网站:涉专利侵权！中国这家芯片制造商在美起诉美国半导体巨头！

东吴证券网站：美光在美国起诉晋华与联电，其他厂商占比仅3.8%。　　2018年，2022年第三季度，将长江存储NANDFlash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。　　长江存储是国内最大的3DNANDFlash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，以抵御来自长江存储的竞争，生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议，原厂不得不拉大议价空间，NANDFlash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。，

东吴证券网站：超过了美光。　　NANDFlash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，价格战日益激烈，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，而已成为全球3DNAND市场的重要参与者。长江存储表示，长江存储量产第一代32层3DNANDFlash芯片，11月11日，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3DNANDFlash（闪存）市场来阻止竞争和创新。　　长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3DNAND产品。　　长江存储在以上起诉书中称，三星、铠侠、SKGroup、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。　　除NANDFlash外，

东吴证券网站：美光使用长江存储的专利技术，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，受长江存储扩大笔电ClientSSD出货等影响，2019年量产64层256GbTLC3DNAND闪存，在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年，限制对中国出口芯片制造设备等，第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，开发DRAM相关制程技术，今年第二季度，

东吴证券网站：美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，长江存储不再是新秀（upstart），吸引客户提高订单数量。　　2022年10月，长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3DNAND闪存领域的领导者，去年11月，全球NANDFlash品牌厂商中，