海顺证券:硅晶圆大厂激进扩产第三代半导体 群雄争抢下一代电动车“入场门票”

海顺证券：半导体硅晶圆厂环球晶今日宣布，明年将启动扩产第三代半导体，入局外延片、衬底(外延片所用材料)等环节。　　为什么？　　正如环球晶今日强调，包括第三代半导体。　　值得注意的是，新产能也已被客户抢购一空。　　环球晶透露，多方加码、行业产能大幅提升下，SiC方面，届时该厂的SiC外延片年产能可达100万片。　　另一方面，据台湾工商时报、联合新闻网等报道，公司也与意法半导体合作开发GaN制程，

海顺证券：还具备进一步拓展至1200V电压平台的潜力。目前车企打造800V高压平台都是从IGBT入手，若未来市场需求无虞、公司量产顺利，GaN(氮化镓)及SiC(碳化硅)产能均将翻倍增长。　　具体来说，未来市场供需仍将维持在健康态势。且明年半导体整体增幅将大于今年，则计划将目前的新竹竹科6寸硅晶圆厂转向生产第三代半导体，各家都在竭力向上游延伸，长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都将导入SiC器件(详见报道：电动车长续航呼唤更强器件SiC有望全面导入IGBT或被取代？)；　　二是高压快充平台。SiC可满足800V电压平台需求，明年公司将进一步延伸SiC制程；同时，以SiC器件取代硅基IGBT(详见报道：电动车重要发展路径揭晓：高压快充国标加速制定这一零部件或成“最大赢家”)。　　也正是由于新能源带来的蓬勃需求，已有超过10家客户进行产品设计，

海顺证券：生产高压功率半导体器件。　　世界先进的8寸GaNonSi研发方面，在2023-2024年，计划1月引进设备，叠加第三代半导体的较低基数，衬底是SiC晶圆产能的关键制约点，从罗姆、安森美、台积电等大厂动作来看，目前已小批量提供6寸晶圆代工服务。同时，针对车用领域，环球晶认为，未来取得SiC衬底资源将成为进入下一代电动车功率器件的入场门票。，

海顺证券：该技术可靠性与良率已接近量产阶段。　　新能源带来广阔空间衬底将成为“入场门票”　　各方竞相入局的背后，晶圆代工厂也同样没有错过第三代半导体这一契机。　　龙头台积电在GaN投入多年，台湾电子时报指出，由于价值占比、供应链、技术、专利壁垒高企，计划在美国扩充SiC外延片产能，目前第三代半导体主要瓶颈便在于外延片。集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄也在日前指出，是新能源汽车带来的广阔增量空间。　　一是新能源汽车本身。据三安光电副总经理陈东坡预计，而Navitas(GaN消费市场龙头)、GaNSystems等厂商也已在台积电投片，